汉ev热卖，比亚迪计划自建碳化硅产线
来源：粉体圈
据财联社报道，比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示，比亚迪车规级的igbt已经走到5代，碳化硅mosfet已经走到3代，第4代正在开发当中。目前在规划自建产线，预计到明年有自己的产线。
其实早在9月中旬，比亚迪半导体凯发旗舰厅官网的产品中心芯片研发总监吴海平就表示，随着产能的逐步攀升，以及比亚迪汉的预购量远远超出公司的预期，碳化硅供不应求（注：汉ev也是国内首款批量搭载sicmosfet组件的车型）。在新能源汽车领域，碳化硅主要用于动力控制单元。目前主流车厂仍然使用igbt(绝缘栅双极型晶体管芯片)，但特斯拉model3和比亚迪汉ev车型上已经开始使用sicmosfet(碳化硅功率场效应晶体管)。本则消息中，比亚迪决定建立自己的碳化硅生产线，可能是因为外购已不能满足需求。
而sic广泛应用于新一代电控单元、逆变器、dc-dc变换器以及车载充电器中，据预测，到2020年，电子半导体市场的全球规模将达到431亿美元，到2024年将超过500亿美元。
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